2017 年 3 月16 日、富山大学で開催された電気学会全国大会にて、電気学会第10回「でんきの礎」に登録された「半導体イオンセンサISFET」の顕彰式がおこなわれました。

東北大学の故松尾正之教授の発明を端緒に、約半世紀、日米欧間で研究・実用化競争が続きました。

欧米での開発が後退する中で、東北大学(株)クラレ新電元工業(株)日本光電工業(株)、アイスフエトコム(株)の連携によって、ISFET 半導体センサによる pH 計測の実用化に成功しました。

この功績が認められ、今回、電気学会「でんきの礎(いしずい)」として 顕彰・登録されました。右の画像をクリックすると、「半導体イオンセンサISFET」の紹介ページをご覧いただけます(pdfファイルが開きます)。

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