このたび、「半導体イオンセンサISFET」が電気学会の第10回「でんきの礎」に登録されました。

http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/30-foundation/data02/ishi-10/ishi-1819.pdf

「半導体イオンセンサISFET」は、東北大学の故松尾正之教授の発明を端緒に、約半世紀の間、日米欧間で研究・実用化競争が続きました。

欧米での開発が後退していく中、東北大、(株)クラレ、新電元工業(株)、日本光電工業(株)、アイスフエトコム(株)の連携により、ISFET 半導体センサによる pH 計測の実用化に成功しました。

この功績により、電気学会の「でんきの礎(いしずい)」として 顕彰・登録され、2017 年 3 月16 日、富山大学で開催された電気学会全国大会にて、顕彰式がおこなわれました。

第10回「でんきの礎」小冊子は、こちらでご覧いただけます
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アイスフエトコム